- vpe wafer
- 汽相外延薄片
English-Chinese electron industry dictionary (英汉电子工程大词典). 2013.
English-Chinese electron industry dictionary (英汉电子工程大词典). 2013.
Epitaxy — refers to the method of depositing a monocrystalline film on a monocrystalline substrate. The deposited film is denoted as epitaxial film or epitaxial layer. The term epitaxy comes from a Greek root ( epi above and taxis in ordered manner ) which … Wikipedia
Chemical vapor deposition — DC plasma (violet) enhances the growth of carbon nanotubes in this laboratory scale PECVD apparatus. Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process used to produce high purity, high performance solid materials. The process is often used in … Wikipedia
Depot chimique en phase vapeur — Dépôt chimique en phase vapeur Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en… … Wikipédia en Français
Dépôt Chimique En Phase Vapeur — Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en phase vapeur 3 … Wikipédia en Français
Gallium(III) arsenide — Chembox new Name = Gallium arsenide ImageFile = Gallium arsenide.jpg ImageFile1 = Gallium arsenide unit cell 3D balls.png IUPACName = Gallium arsenide Section1 = Chembox Identifiers CASNo = 1303 00 0 SMILES = Ga#As Section2 = Chembox Properties… … Wikipedia
Dépôt chimique en phase vapeur — Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en phase vapeur 3 … Wikipédia en Français
Gallium arsenide — Gallium arsenide … Wikipedia